Mémoire IC DRAM 51258 256K 256KX1 100NS CMOS statique colonne HM51258P-10 DIP16-

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Ic Speicher Dram 51258 256K 256Kx1 100ns CMOS Statisch Säule HM51258P-10 DIP16
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Caractéristiques de l'objet

État
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Herkunftsland
Malaysia
MPN
HM51258P-10 HITA 8909 DIP16
Gehäusematerial
PLASTIK
Marke
Hitachi
Anzahl Pins
16
Typ
DRAM
Schnittstellentyp
Spannungslogikschnittstelle
Maximale Betriebstemperatur
70 ° C (158 ° F)
Speichergröße
256 kbit
Mindestens Betriebstemperatur
0 ° C (32 ° F)
Bauform
PCB Fassung
Serie
51258
Mindestens Betriebsspannung
4,5 V
Maximaler Eingangsstrom
60 mA
Maximale Betriebsspannung
5,5 V
EAN
Nicht zutreffend
Pays d'origine
Malaisie

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