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Transistors haute mobilité et puits quantiques : conception et simulation TCAD par Geert -

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Caractéristiques de l'objet

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ISBN-13: 9789400795693

Book Title: High Mobility and Quantum Well Transistors

ISBN: 9789400795693

Series: Springer Series in Advanced Microelectronics Ser.

Publication Year: 2015

Type: Textbook

Format: Trade Paperback

Language: English

Publication Name: High Mobility and Quantum Well Transistors : Design and Tcad Simulation

Author: Geert Hellings, Kristin De Meyer

Item Length: 9.3in

Publisher: Springer Netherlands

Item Width: 6.1in

Item Weight: 89.1 Oz

Number of Pages: Xviii, 140 Pages

À propos de ce produit

Product Information

List of Abbreviations and Symbols. 1 Introduction. 1.1 Transistor Scaling. 1.2 What's Next? (2010 - ...). 1.3 Goals of the Book. 1.4 Organization of the Book. 2 S/D Junctions in Ge: experimental. 2.1 Introduction. 2.2 P-type Junctions. 2.3 N-Type Junctions. 2.4 Benchmarking. 2.5 Summary and Conclusions. 3 TCAD Simulation and Modeling of Ion Implants in Germanium. 3.1 Introduction. 3.2 Ion Implant into Germanium - Monte Carlo Simulations. 3.3 Ion Implant into Germanium - Analytical Description. 3.4 Application to a 70 nm Bulk Ge pFET Technology. 3.5 Summary and Conclusions. 4 Electrical TCAD Simulations and Modeling in Germanium. 4.1 Introduction. 4.2 TCAD Models for a Germanium pMOSFET technology. 4.3 Electrical TCAD simulations - 65 nm Ge pMOSFET Technology. 4.4 Impact of Interface Traps MOS Performance. 4.5 Summary and Conclusions. 5 Investigation of Quantum Well Transistors for Scaled Technologies. 5.1 Introduction. 5.2 Motivation - Scalability Issues in Bulk MOSFET Technologies. 5.3 Towards A Scalable Transistor Architecture. 5.4 High Electron Mobility Transistors: an Alternative Approach. 5.5 Operation of Heterostructure Transistors: Analytical Description. 5.6 Conclusions. 6 Implant-Free Quantum Well FETs: Experimental investigation. 6.1 Introduction. 6.2 First-Generation SiGe Implant-Free Quantum Well pFET. 6.3 Enhancing Performance in SiGe IFQW pFETs. 6.4 Second-generation Strained SiGe IFQW pFETs. 6.5 Matching Performance and VT -Tuning in IFQW pFETs. 6.6 SiGe Quantum Well Diffusion Study. 6.7 Conclusions. 7 Conclusions Future Work and Outlook. 7.1 Conclusions. 7.2 Future Work and Outlook. Bibliography. List of Publications.

Product Identifiers

Publisher

Springer Netherlands

ISBN-10

9400795696

ISBN-13

9789400795693

eBay Product ID (ePID)

211949713

Product Key Features

Author

Geert Hellings, Kristin De Meyer

Publication Name

High Mobility and Quantum Well Transistors : Design and Tcad Simulation

Format

Trade Paperback

Language

English

Series

Springer Series in Advanced Microelectronics Ser.

Publication Year

2015

Type

Textbook

Number of Pages

Xviii, 140 Pages

Dimensions

Item Length

9.3in

Item Width

6.1in

Item Weight

89.1 Oz

Additional Product Features

Series Volume Number

Number of Volumes

1 Vol.

Lc Classification Number

Tk7867-7867.5

Table of Content

List of Abbreviations and Symbols.- 1 Introduction.- 2 S/D Junctions in Ge: experimental.- 3 TCAD Simulation and Modeling of Ion Implants in Germanium.- 4 Electrical TCAD Simulations and Modeling in Germanium.- 5 Investigation of Quantum Well Transistors for Scaled Technologies.- 6 Implant-Free Quantum Well FETs: Experimental investigation.- 7 Conclusions Future Work and Outlook.- Bibliography.- List of Publications.

2013

Topic

Physics / Quantum Theory, Physics / Condensed Matter, Electronics / Microelectronics, Electronics / Circuits / General, Materials Science / Electronic Materials, Electronics / Transistors

Dewey Decimal

621.381528

Intended Audience

Scholarly & Professional

Dewey Edition

Illustrated

Yes

Genre

Technology & Engineering, Science

Description de l'objet fournie par le vendeur

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