Mémoire IC DRAM 511000 1M 1024Kx1 100ns NMOS côté/test Hitachi HM511000S DIP18-

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IC Speicher DRAM 511000 1M 1024Kx1 100ns NMOS Seite/Test Hitachi HM511000S DIP18
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Caractéristiques de l'objet

État
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Herkunftsland
Japan
MPN
HM511000P-10S HITA 8747 DIP18
Gehäusematerial
PLASTIK
Marke
Hitachi
Anzahl Pins
18
Typ
DRAM
Schnittstellentyp
Spannungslogikschnittstelle
Maximale Betriebstemperatur
70 ° C (158 ° F)
Speichergröße
1 Mbit
Mindestens Betriebstemperatur
0 ° C (32 ° F)
Bauform
PCB Fassung
Serie
511000S
Mindestens Betriebsspannung
4,5 V
Maximaler Eingangsstrom
60 mA
Maximale Betriebsspannung
5,5 V
EAN
Nicht zutreffend
Pays d'origine
Japon

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SLAWMIR Electronics

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    6 derniers mois
    Achat vérifié
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